OPC (Optical Proximity Correction) & TDLO (Table Driven Layer Operation) 란?
OPC & TDLO에 대해 알아보기
OPC (Optical Proximity Correction) 란?
Photo 공정에서 빛을 통해 Mask에 있는 패턴을 Wafer에 전사 시킬 때, Mask를 통과한 빛의 회절과 간섭 효과 등으로 인해 Mask에 설계되어 있는 패턴이 실제 Wafer상에 그대로 전사 되지 않고 왜곡이 발생하게 됩니다.
즉, Wafer상에 패턴을 정확하게 전사 시키기 위해서 빛의 회절과 간섭 효과 등을 사전에 고려해 Mask 패턴을 보정하는 과정이 필요한데, 이를 OPC (Optical Proximity Correction)라고 합니다.
왜 OPC가 필요한가? (by ChatGPT)
- 회절 효과 (Diffraction Effects): 빛이 마스크를 통과할 때 회절이 발생하여 설계한 패턴과 실제 형성되는 패턴이 다르게 나타날 수 있음.
- 근접 효과 (Proximity Effect): 가까이 있는 패턴끼리 상호작용하여 의도한 모양과 다르게 인쇄될 가능성이 있음.
- 광학적 한계 (Optical Limitations): 반도체 공정의 해상도는 사용되는 노광장비의 파장과 수치 조리개에 의해 제한됨.
- 공정 변동성 (Process Variability): 포토리소그래피 공정의 다양한 조건(초점, 노광량 등)에 따라 패턴의 크기 및 형상이 달라질 수 있음.
TDLO (Table Driven Layer Operation) 란?
TDLO (Table Driven Layer Operation)는 위와 같은 OPC를 수행하기 전에, Mask에 존재하는 패턴들에 대한 Etch Skew를 고려해서 패턴의 크기(size)를 보정해주는 작업입니다. 여기서, Etch Skew는 Photo 공정을 통해 전사된 패턴과 Etch 후 만들어지는 패턴간의 크기 차이를 의미합니다.
즉, Etch 공정에서도 설계한 패턴과 실제 형성된 패턴 사이에 차이가 발생하기 때문에, 이를 보정해주는 과정이 필요하고 이를 TDLO를 통해 진행합니다. TDLO는 일괄 보정값 및 패턴 유형별 보정값을 사전에 정해두고, Rule을 통해 보정 하는 방식으로 진행됩니다.
The TDLO is a pre-optical proximity correction (pre-OPC) operation. In the TDLO, target patterns (or pre-OPC target patterns) are generated based on the original patterns. For example, the target patterns may be generated by pushing or pulling edges of the original patterns in consideration of factors such as etch skew. For example, the original patterns of 5×50 size may be changed to the target patterns of 5×70 size in consideration of etch skew. In addition, for accurate implementation of the original patterns, a dummy may be added to an empty region (that is, a dummy target pattern may be generated). A layer is defined by computing the original patterns and the generated target patterns (for example, by performing addition or subtraction or finding a complementary set). [출처 : JUSTIA Patents]
-참고 Article